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30T113D 产品系列介绍


  30T113D是基于自激多谐振荡器的不稳定性作为物理噪声源,同时用外部时钟对不稳定的自激多谐振荡器采样,再经过线性反馈移位寄存器对信号进行处理,从而输出性能良好的真随机数芯片。
 

技术指标

工作电压: 2.7V ~ 5.5V 直流电压
采样频率:≤ 1MHz
芯片休眠时的电源电流: I<50uA

动态特性:
•  CLK 到 DATA 的传输延时:≤ 15 ns
•  DATA 的输出转换时间:≤ 20 ns
•  输出允许时间 :≤ 10 ns
•  输出禁止时间 :≤ 10 ns

工作温度范围: -40 ~ + 85 ℃
存储温度范围: -65 ~ + 150 ℃
工作电流:动态 I ≤ 1mA
封装形式: DIP8

引脚说明:

引脚序号

符号名

I/O

描 述

1

PE

I

休眠控制信号。低电平芯片休眠,高电平或悬空时芯片内振荡器起正常工作

2

P1

O

内部 RC 振荡源 1 的异或链输出

3

P2

O

内部 RC 振荡源 2 的异或链输出

4

GND

SUPPLY

5

DATA

O

随机数序列输出

6

OE

I

DATA 输出使能信号。低电平有效,内带上拉电阻。在不使用高阻功能时,可将 OE 接地。

7

CLK

I

采样时钟

8

VDD

SUPPLY

单 2.7V ~ 5.5V 直流电压

芯片工作流程:
芯片时序图:
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